您的位置 首页 芯片行情

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法-摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体,并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行,例如在大约23丁和 大约200V之间或者在大约100°CTo然后可以致密该碳化硅层以去除氢含量。此外,碳化硅层可以暴露于氮源以提供活性氮-氢基团,然后可以使用其它方法堡续沉积薄膜。等离子体处理条件可用于调节薄膜的碳、氢或氮含量。文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁

摘要

本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体,并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行,例如在大约23丁和 大约200V之间或者在大约100°CTo然后可以致密该碳化硅层以去除氢含量。此外,碳化硅层可以暴露于氮源以提供活性氮-氢基团,然后可以使用其它方法堡续沉积薄膜。等离子体处理条件可用于调节薄膜的碳、氢或氮含量。文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁

技术领域

本文的第一方面通常涉及在衬底表面上沉积碳化硅层或薄膜的方法。在第一方面的特定实施例中,本文涉及利用有机硅烷前体化合物的原子层沉积工艺。本文的第二方面涉及用于等离子体增强原子层沉积的设备和方法。在第二方面的特定实施例中,该设备利用具有双通道的喷头或面板通过第一组通道输送远程产生的等离子体,并通过第二组通道输送前体和其 他气体。在第三方面,形成碳化硅层的方法可以在根据第二方面描述的设备中执行。

实验

一般来说,将含有Si、C、H的种子膜暴露于含N的等离子体中对生成膜是有效的。如果被处理的薄膜中含有很少的H,也可以在等离子体混合物中添加少量的氢,以促进产生更多的N-H键合。可以根据等离子体功率、暴露时间和温度对膜中硅与碳的比例进行调整。通过利用含有较高初始比值的前驱体,可以增加C与硅的比值。一般来说,在两个硅原子之间的桥接位置上含有碳的碳硅烷前体可以被溶剂化成碳化物型陶瓷,并有效地保留碳。另一方面,在前体不包含桥接碳原子的情况下,碳没有保留的程度。例如,基于甲基硅烷的前体发生碳损失。

设备和方法

本文的一方面涉及用于等离子体增强原子层沉积的设备和方法。在第二方面的特定实施例中,该设备利用具有双通道的喷头或面板通过第一组通道输送远程产生的等离子体,并通 过第二组通道输送前体和其他气体。所描述的设备和方法本发明的又一方面涉及一种工艺顺序,该工艺顺序包括在循环沉积或原子层沉积工艺期间在向衬底输送等离子体和向衬底表面输送前体之间交替进行。前驱脉冲和等离子体之间的切换使用快速切换过程来执行G在一个或多个实施例中,ALD工艺用于制造金属、金属氧化物、氮化物、碳化物、氟化物或其它层薄膜。在具体的实施例中,快速切换过程可用于在基质上形成碳化硅层,这可以通过从等离子体激活步骤开始,诱导提取氢以产生表面不饱和来完成。

总结

本文的一个实施例涉及在基底表面上形成碳化硅的方法,包括将具有反应性表面的基底暴露在汽相碳硅烷前体上以在基底表面上形成碳化硅层,其中所述碳硅烷前体包含至少一个桥接至少两个硅原子的碳原子。因此,本文的一个方面指向在衬底表面上形成层的方法,该方法包括提供衬底,将基底表面暴露于包含至少一个碳原子桥接至少两个硅原子的碳原子的碳硅烷前驱体,将汽相碳硅烷前驱体暴露于低功率能量源以在衬底表面提供碳硅烷、使碳硅烷通道密度化并将碳硅烷表面暴露于氮源。在这方面的一个实施例中,使碳硅烷致密包括将衬底表面暴露到包含一个或多个He、Ar和H2的等离子体上。

http://news.vvfanli.com/wp-content/uploads/2022/02/20220209060349-62035945443bd.jpg

图1

http://news.vvfanli.com/wp-content/uploads/2022/02/20220209060349-62035945edf3a.jpg

图2

http://news.vvfanli.com/wp-content/uploads/2022/02/20220209060350-620359468cd50.jpg

图3 

  审核编辑:鄢孟繁

免责声明:文章内容不代表本站立场,本站不对其内容的真实性、完整性、准确性给予任何担保、暗示和承诺,仅供读者参考,文章版权归原作者所有。如本文内容影响到您的合法权益(内容、图片等),请及时联系本站,我们会及时删除处理。

为您推荐

如何使用GPU编程优化模型/代码

  使用 Python 和 NumPy 库开发的 HIM 模型在 hackathon 开始时没有并行或 GPU 计算。在活动期间, THINKLAB 团队使用 CuPy 为了使他们的代码在 GPU 上并行运行,然后重点将用户定义的 CUDA 内核应用于参数。结果是 672 倍加速,计算时间从 2 周缩短到大约 30 分钟。\” />

<meta http-equiv=X-UA-Compatible content=\"IE=edge,chrome=1

NVIDIA驱动程序支持OpenCL和Vulkan进行互操作

  OpenCL 和 Vulkan 之间的互操作在移动和桌面平台上都有很强的需求。 NVIDIA 与 Khronos OpenCL 工作组密切合作,发布了一套临时跨供应商的 KHR 扩展。这些扩展使应用程序能够在 OpenCL 和 Vulkan 等 API 之间高效地共享数据,与使用隐式资源的前一代互操作 API 相比,灵活性显著提高。\” />

<meta http-equiv=X-UA-Compatible content=\"IE=edge,chrome=1

准备去元宇宙过第二人生?小心别被骗了

准备去元宇宙过第二人生?小心别被骗了   电子发烧友网报道(文/黄山明)随着元宇宙在近期的大火,相信大家对于这一技术已不陌生。但元宇宙因为其特性,也需要建立合适的网络安全防护措施,来应对这项技术带来的独特挑战。并且在元宇宙想要得以持续,需要用去中心化的平权式共享机制与共治机制来作为保障,既要做大“蛋糕”,也要分好“蛋糕”。但问题在于,去中心化的元宇宙,在安全问题上也将面临更大的挑战。     先简单解释一下元\” />

<meta http-equiv=X-UA-Compatible content=\"IE=edge,chrome=1

代工巨头再次换帅,中芯国际高管频频离职,业绩喜人之下原因为何?

电子发烧友网(文/黄山明)3月17日,中芯国际发出公告,公司代理董事长高永岗博士,获委任为中芯国际董事长,自2022年3月17日生效。而在半年前辞去中芯国际董事长职位的“芯片泰斗”周子学最终以身体原因为由,辞去了执行董事一职。   对于这一次的交接,有业内人士称这是一次完美的交接,对中芯国际乃至中国半导体产业都有着重要的影响。不过另一方面,自周子学辞任中芯国际董事长之后,其股价便一路走低,从半年前的21.1港元降至如今的\” />

<meta http-equiv=X-UA-Compatible content=\"IE=edge,chrome=1

电子测量仪器企业普源精电上市!年营收超3亿,募资7.6亿加速自研芯片项目

电子发烧友网报道(文/莫婷婷)4月8日,普源精电在科创板上市,发行价格60.88元/股,公开发行股份约3032.74万股,占公司发行后总股本的比例为25%。该股上市当日开盘即破发,截至今日收盘,普源精电报39.78元,跌幅34.66%,总市值48.26亿元。   图源:东方财富   在上市之前,普源精电在招股书的风险因素中提到,“公司无法保证未来几年内实现盈利,公司上市后亦可能面临退市的风险”。2020年、2021年上半年,普源精电分别亏损2716.6万元、2036.48万元,连\” />

<meta http-equiv=X-UA-Compatible content=\"IE=edge,chrome=1

发表评论

您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注

返回顶部