如何减少硅晶片表面上的金属杂质

如何减少硅晶片表面上的金属杂质-本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后,“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂,以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。

硅晶圆表面金属在清洗液中的行为

硅晶圆表面金属在清洗液中的行为-随着器件的集成化,对Si晶片的要求也变得更加严格,降低晶片表面的金属污染变得重要,这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛使用,为了提高表面的清洁度,进行了清洗法的改良,降低使用的超纯水、药品中的污染等方面的努力。今后为了进一步提高表面清洁度,有必要比以前更多地减少工艺中的污染,但这并不是把污染金属集中起来处理,而是考虑到每个元素在液体中的行为不同,在本文中,介绍了关于Si晶圆表面金属在清洗液中的行为的最近的研究例子。

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