蚀刻技术基础知识介绍

蚀刻技术基础知识介绍-关于在进行这种湿法或干法蚀刻过程中重要的表面反应机制,以Si为例,以基础现象为中心进行解说。蚀刻不仅是在基板上形成的薄膜材料的微细加工、厚膜材料的三维加工和基板贯通加工,而且是通过研磨和研磨等机械加工和干法工艺产生的变形层和损伤层的去除、化学溶液和自由基束的结晶表面的清洗、为了调查位错等缺陷的坑形成等被广泛利用的加工技术。

微细加工湿法蚀刻中不同蚀刻方法

微细加工湿法蚀刻中不同蚀刻方法-微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料,其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂,并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔,这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率来控制。执行蚀刻机制的成功之处在于,多层结构的顶层应该被完全去除,而在下层或掩模层中没有任何种类的损伤。这完全取决于两种材料的蚀刻速率之比,称为选择性。在一些蚀刻情况下,蚀刻会削弱掩模层,并产生形成空腔的倾斜侧壁。底切的距离称为偏差。

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