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快恢复二极管过热失效是因为什么导致的

因为近期国产氮化硅企业也迎来了一波新的融资热潮,半导体行业大动作频频不断,那星海一级代理商鑫环电子就来聊聊半导体快恢复二极管,它过热失效是因为什么导致的。\” />

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因为近期国产氮化硅企业也迎来了一波新的融资热潮,半导体行业大动作频频不断,那星海一级代理商鑫环电子就来聊聊半导体快恢复二极管,它过热失效是因为什么导致的。

过热失效是指快恢复二极管工作时造成的功率消耗增加,超过了器件所允许的最高结温 Tjm,造成器件的热击穿。过热破坏与装置的工作温度有关,一般采用本征温度 Tint来预测器件在温度上升时的破坏机制。当温度升高时,载流子浓度 ni (T)等于衬底掺杂浓度 ND的温度。随着温度的升高,载体浓度呈指数级增加。Tint与掺杂浓度有关,而普通的高压设备 Tint要远低于低压装置。因为材料、工艺等因素的影响,器件 Tjm一般比 Tint小得多。

因为实际器件并不在热平衡状态下工作,因此也需要考虑器件工作方式与温度的关系。例如,在逆变器中,通过电流传导所产生的功率消耗,截止状态是由漏电电流引起的,而在逆向恢复过程中由高反向电压所产生的功耗,都会使器件的工作温度升高,并在温度和电流之间引起正向反馈,最终发生热击穿。因此,热击穿发生的条件是,热产生的功率密度大于由器件封装系统确定的耗散功率密度。为防止设备的热失效,一般将其工作温度控制在 Tjm以下。

如果器件开始局部熔化那就表明快恢复二极管发生过热失效了。若局部温度过高,发生在点状区域内,还会引起管芯出现裂纹。当快速恢复二极管工作频率较高时,在断态与通态间高频转换将产生大量的功率消耗,器件的过热失效形态可能有所不同。但随著温度的升高,最先开始丧失阻断能力,几乎所有平面端子将在边缘被击穿。所以,损伤点通常位于设备的边缘,或者至少在其边缘上。

上述就是关于快恢复二极管过热失效的原理,想要了解更多二三极管、Mos管等半导体产品选型、规格书资料,可关注鑫环电子,我们将竭诚为您服务。审核编辑:符乾江

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